Chip123 科技應用創新平台
標題:
請問一下mos的臨界電壓vt?
[打印本頁]
作者:
andywu
時間:
2008-3-24 02:25 PM
標題:
請問一下mos的臨界電壓vt?
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
( `8 a# S+ r# T" l# z) z8 `
: V; h: G% b2 Z; r& u& G" z
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
' o- _7 h5 u3 @- ?; @
8 j3 {2 t( ?+ W
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化
& N8 w" V! Z }3 G7 F0 L
9 q0 V& t5 b0 _& }/ E" ?- w9 @
這樣的話大家是怎決定的
作者:
andywu
時間:
2008-3-24 03:42 PM
對了尤其是PMOS,飄移更多
- g- O$ R$ _4 H! g$ i1 T
) T9 H# ^8 O* N4 v; F
NMOS還在0.75左右
?1 Y" V* }0 ?; u5 y3 {6 m
- M8 |2 m: D" w( G/ ]# ?- V% N
作者:
monkeybad
時間:
2008-3-25 10:22 AM
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
% \+ ~; c! J& v+ ?/ R
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
# }& `: B* C* w U6 b$ d( T p9 c8 T
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
# r7 Y% R& A5 \6 [
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
0 q( c/ e6 E1 D5 `- q3 w F
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
9 B) Z* Z5 ~$ J4 S+ v. b$ f1 `
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
作者:
gimayon
時間:
2008-3-29 02:21 AM
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
作者:
ssupinma
時間:
2008-3-29 04:02 PM
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
! s9 B. a" E, z' A, ]( R" L" ^
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
, b) c) ?/ ~( N
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
7 T5 y! x$ h! t: X$ X& H( e
+ M/ y' c6 | O* F4 M
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
作者:
andywu
時間:
2008-4-2 04:07 PM
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
6 p* R" z9 C, P* ]0 H
& U* A/ U: c% v0 O- [: V
model file要看哪一項目呢?
作者:
alab307
時間:
2008-4-3 06:49 PM
Vt 沒有一定的定義
, `/ g( L3 u% W2 R
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
7 a3 r7 ?* e4 U
0 e7 N1 i& j t- b
"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
9 d$ k m3 X9 }; |
3.3v 遠大於 0.7V
% O3 `/ ^6 o7 g6 R! H
其實不用太Care
! j- M1 h; ~/ I; _" W g7 d
7 m/ V/ k* J' R2 g
VT對你的電路真的那麼重要嗎?
作者:
122013137
時間:
2008-4-8 10:23 AM
標題:
~
所以说模拟电路是感性的~~
作者:
liangshangquan
時間:
2008-4-11 03:28 PM
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
作者:
k9966809
時間:
2015-12-24 07:46 PM
, P! m5 w6 M6 T: \
感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
作者:
engineer
時間:
2015-12-24 09:51 PM
VTH本來就是一個變數，不是嗎？
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2
