Chip123 科技應用創新平台

標題: how to choose the resistor value of gcnmos [打印本頁]
作者: scy8080    時間: 2008-3-20 03:10 PM
標題: how to choose the resistor value of gcnmos
how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
% Y0 X6 Z2 \* \3 m+ W  V; x3 l" v/ R% a) ~! H/ ~4 ~1 u, n: Q# K

$ q/ A- m8 f" [* ^( u' e- Tin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?7 T( ~- F0 h* L
, K* V3 T( d: |! C* x3 |
thx& u. |# r* L& o: e9 B8 `2 E

8 j3 }6 ^! A7 s) \! B5 P[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]
作者: 小朱仔    時間: 2008-3-20 05:45 PM
Sorry my engilsh is bad, So i write chinese6 @; U2 i' E  a4 o* ~7 [
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
$ m' X8 [' F) X) S% O7 C如果要用精準的話那建議採取poly電阻: b, X$ d3 a7 v3 p7 ?
' V& j2 x7 ^  ?( N
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r# A. w7 G- y- t5 U# o( M$ o
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
* ]4 C6 R6 N0 D( p4 E# ~以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  ! ^$ y; u& Q2 |2 S! i# [
, A0 u$ `5 _4 e; j; R
參考看看囉~~
作者: laurence    時間: 2008-3-21 10:39 PM
What do you want to know???
0 S! a/ B; e# e3 R+ ^GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
! G/ _, [# R9 g# C0 B8 cGCNMOS not look like your picture circuit...
% w  ]" u. F' C  |1 a6 Z% gGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
$ Q& p+ k) p0 ~# K9 }Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
' U* v3 D) ]& X( G/ h. ?3 L& B5 i
8 N% w* ]7 N# a  O" d( J& @For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...( r; o. f6 J* a0 R9 U  C1 l! g) c
& Q. r( v: V5 S$ m
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.
作者: ritafung    時間: 2008-4-12 01:01 AM
How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?% G9 H6 i/ l; H0 q! X
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
6 R- ~+ k8 H7 c" r* nWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
. N1 n' i. \& }9 g. x2 n9 OAny idea to exchange?
作者: cthsu1    時間: 2008-9-8 11:17 PM
標題: 回復 4# 的帖子
小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
; ]* T, m3 W) {( Q) b0 {! R大面積的話  GCNMOS 比較好
# _0 A& a& D) z! y0 u" ^7 P& T* q但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電
作者: bryansu111    時間: 2008-9-22 12:58 PM
請問一下,關於GCNMOS ,) A; E7 S! b( H4 f2 ]. I
Power 會動的很厲害的話會漏電.) E( t2 B6 }8 c" b

1 B) U' P. ^" [: d' c: z是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
0 w* Y6 m+ P' ]9 a那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
/ T; N2 D4 f3 j2 x8 B麻煩請解惑 ,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-10-23 10:11 AM
原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表 # c) s0 j  \% y
請問一下,關於GCNMOS ,
. ]8 i& U, y) nPower 會動的很厲害的話會漏電.
6 H) _9 Q  A+ E! {
" U/ O8 i% g& \' {是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
+ z0 z! [' e. Z6 k" o$ ]! N% S那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??  B! p+ I; z' s0 n
麻煩請解惑 ,謝謝
7 o# y# e% f! g1 o$ E2 k* U
: s8 q4 q1 S( I4 ?8 w
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on
作者: scy8080    時間: 2008-12-4 05:40 PM
原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
0 K& o% g. p2 p, m" P" k% VWhat do you want to know???
8 j, ?7 T/ Z8 C6 e2 {) SGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
  v! _/ z: K' E* m; K5 K) N+ BGCNMOS not look like your picture circuit...4 K3 d3 C/ p3 L) Z
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...' ?4 w" ^& s& K$ p/ J* _- B
Nor ...
8 ]7 x0 L! w9 B3 H! P

' ?+ Z6 F/ N( P不知道你使用的是什么工艺？
$ o; q, m# O1 R8 Q; Y我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
8 v: O4 G5 x$ x$ I) ~0 p; Z3 }& M9 B' e5 x# u+ k
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-4 08:49 PM
標題: 回復 8# 的帖子
GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！' O+ {' X+ _7 D9 i9 w, w; n& x
9 ?) A- r7 ~" d2 x2 S  P' Z
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2