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標題:
弱反轉區、BJT之LAYOUT
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作者:
YuanII
時間:
2012-6-26 03:53 PM
標題:
弱反轉區、BJT之LAYOUT
各位大大您們好:
, [* K/ ]5 ?9 O/ B+ Y, G
小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
- Q+ _+ \1 s7 L
都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
5 F/ n/ ]/ j! \: g# V$ M/ Z
這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
, @% B0 c* `' v4 K1 D* V4 O4 a: e, X
但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
/ s- X2 ^. t9 i: S+ A8 r2 e- X7 E9 U
翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
/ ]- \- V! u% M: {1 x# ^
既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
% j* `; c3 G) r2 U) e1 Q- a, [
1 b8 U4 K' @) ]9 F0 d
另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
7 D- E: ^" R1 }# H* g, ]
大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
, B; s, c; ^# _
但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
- N4 l' w1 L1 J4 w$ o/ l2 C/ Y
小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
/ D0 F; D \& U% _9 p" H6 t' i
" H4 g/ T8 n7 P" r4 }2 X
請各位好心人給意見^^謝謝
作者:
billlin
時間:
2012-6-27 09:29 AM
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
5 l! @# x9 H! x! C' k9 r! }
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
" a( M8 g" A2 n* y3 S# I0 Q
o X o X o
3 W5 t# v# W& I7 k
X X o o X
& g' s4 g, a* T8 B3 r, ?
o o W o o
" k4 q- h* v0 S e {7 @7 ?
X o o X X
( s2 e% ^( j+ E9 Q3 n
o X o X o
作者:
billlin
時間:
2012-6-27 09:34 AM
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV -->(1)
/ U" b8 ^' [( \7 I
strong inversion gm=2I/(gate driver) -->(2)
0 {) i4 O- n9 J" Q
所以直由公式直觀的算,
3 D7 h; b: C; A; P/ J- T* r. {
假設gate driver = 0.2V ..
2 E: Y! c$ I4 O4 A& w$ @) b
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
作者:
YuanII
時間:
2012-7-18 08:48 PM
謝謝大大的回覆@@
; ?0 }8 r" I1 A; W: F# E, \
小弟大概知道意思，
* ], J. W5 j! y; {9 [: `/ b; a
謝謝。
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