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標題: HSPICE输出lis文件求教 [打印本頁]
作者: fu20094376    時間: 2011-4-20 02:21 PM
標題: HSPICE输出lis文件求教
大家好，
4 z. ]1 D+ S% P9 c" c5 w) k想请教一下，在HSPICE软件输出的lis文件中，关于MOS的工作状态参数vdsat与vod是什么意思，两者有什么区别？谢谢！
# X. u" S& o& h( ~6 ~/ H0 H6 ]" g& }5 x& s
举例：以下为一个简单电路的SPICE仿真输出/ ~6 S: |  ~0 d
" T: {& i5 Z* y6 Y: G6 f  [7 A
subckt                                                              
: c/ Y) F9 }" i4 [( m( B* o element   0:mnm0      0:mnm1      0:mnm23     0:mnm34     0:mnm21   ( |, n/ D+ v. e5 [. @5 j
model     0:n12       0:n12       0:n12       0:n12       0:n12     
, _7 ~# _+ x2 C5 u) C5 m: L% Y region        Linear    Saturati      Linear    Saturati      Linear9 ]2 U4 o, _9 o% J( }
  id         50.0000u    50.0000u    75.8903u    75.8903u    75.8903u
% O2 n8 E6 l0 a4 w, N  ibs        -1.7298a  -617.8295a    -1.0610f  -520.0285a    -2.6278a
. P/ r) |) Q3 k" a- ^+ c7 q' e  ibd      -220.5844a    -1.3606f    -3.5067f  -878.8862a  -378.2504a
" d2 g) f5 [/ J  vgs         1.2000    499.6118m   508.0410m   545.4162m     1.2000 : v9 ~! k( K) l
  vds        16.7670m   499.6118m    46.2461m   630.9828m     8.3378m# v! W* G, |- `( l+ z4 Y
  vbs         0.        -16.7670m    -8.3378m   -54.5838m     0.     : f, ]" m9 A1 Q0 B6 _) ^
  vth       453.4941m   363.4938m   361.5682m   399.4941m   453.7360m4 I* W& n5 C  H% P% G
  vdsat     340.3907m   147.0403m   153.8298m   173.5895m   340.3681m& u+ v1 i  M) l' a
  vod       746.5059m   136.1180m   146.4728m   145.9220m   746.2640m. w7 L0 r. Y# t/ A; R+ V, E( t
  beta        4.8833m     4.5744m    13.7312m     4.7731m    14.6481m' S3 _. b8 `) Y' c$ S, b
  gam eff   474.4148m   483.0213m   482.9758m   480.2178m   474.4145m4 `) f1 t" Z" {
  gm         44.1180u   558.2616u   557.4533u   666.0663u    65.9494u3 s/ k) F3 l) a0 ^9 Y" z% H
  gds         2.9133m     5.3509u     1.3369m    32.8252u     9.0528m
5 M( E6 l2 d$ d% g  gmb        12.3124u   129.7980u   129.9790u   128.3843u    18.5011u
5 @% t( |. L! f& _# T! d8 v  cdtot       4.0640f     5.0505f    60.3849f     1.4360f    12.2802f' W" W) X6 @  ?6 B
  cgtot       2.4614f    17.3256f    60.3933f     2.0792f     7.3861f
! w% A4 a1 N% l  ?  cstot       3.5713f    20.2942f    67.1966f     3.0367f    10.7369f/ t8 @4 q4 \- P1 |1 {5 L
  cbtot       3.1305f    11.2500f    37.5949f     2.6901f     9.4079f; f7 B; Y9 e% w8 _2 N8 }
  cgs         1.3200f    15.2678f    39.5300f     1.4702f     3.9404f
; r+ P+ L2 q8 y" T' a) a% D% b  cgd         1.1677f     1.5240f    21.2262f   470.5603a     3.5258f
作者: rice019    時間: 2011-4-21 10:19 AM
Vdsat: mos操作在飽和區的最小Vds
+ D& K5 `5 t7 f/ H1 LVod: Vgs-Vth就是Vgs超過Vth多少
作者: fu20094376    時間: 2011-4-21 11:30 AM
謝謝rice019的回答！基本理解了vdsat與vod的區別！在低級MOS模型下面，幾乎可以認為兩者是一樣的，可以這樣理解吧？
7 M' t; v6 ?& S! {7 w還有，導致兩者不同的原因是不是由於MOS器件的短溝道，窄溝道等等效應？



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