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標題:
二极管与MOS管做ESD保护的区别
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作者:
andyjackcao
時間:
2010-10-31 10:46 AM
標題:
二极管与MOS管做ESD保护的区别
在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
2 l+ i3 L3 _8 `5 S
我考虑到的有：
& h* @% h7 q, w; [
1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
' T p# K- L. {3 B8 `: {
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
4 K1 Y- q' S0 b0 O8 F# _# N/ R. i
3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
5 V' t, ?3 F# e! q. Q& l: ?; L- S
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
2 \9 r- V( r% d7 k* V6 k* H! \
结论对不？
; h2 I% f' S. R% N/ V
多谢
作者:
andyjackcao
時間:
2010-10-31 06:23 PM
芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-1 07:48 PM
还请大大帮忙解决下这个问题：）
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-9 08:11 PM
1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
( W4 T, H, D9 J
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配
作者:
andyjackcao
時間:
2010-11-19 07:37 PM
1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
! P5 [2 G3 e( _
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
0 c6 d/ g) G5 y. n$ g
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑
作者:
franklu1227
時間:
2010-12-15 04:29 PM
怎么只剩楼主一个人自言自语了？
作者:
andyjackcao
時間:
2011-9-2 09:57 PM
二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
$ l; l) {( K4 ?+ {, A- g) B! W5 T' [
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。
作者:
szona44250
時間:
2021-8-25 09:58 AM
感謝大大的分享，受益無窮
* x0 B8 x+ W$ G5 _3 J
: q l5 o# C' k' t, U8 I
謝謝
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