Chip123 科技應用創新平台

標題: TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢 [打印本頁]
作者: chris77jw    時間: 2010-6-29 04:29 PM
標題: TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢
各位大大您好，小棣想要請問TSMC 0.35um製程，Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢，因為我打電話過去問CIC的人員，他們要我去上暑期的訓練課程，可是現在我沒有辦法去，因為我快要畢業了，所以想要再這裡請問一些有經驗的大大，請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
作者: yuany    時間: 2010-6-30 12:48 PM
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?1 R6 [* e. Z. n3 Q
有好多种cap啊
# |  k; u' q. I$ K8 D4 n4 [! apip 两层poly作两极板
6 F. S$ b$ E! f8 W% lMOS cap  就是PMOS&NMOS管
1 }( y- g$ K6 O$ pMIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板
) i3 \1 c/ m% G; n. c$ _3 K2 zNwell cap  nwell上面加层Pdiff + O" x7 B( p! ?5 X  F
等等...
作者: chris77jw    時間: 2010-7-1 03:10 PM
可是他寫的不詳細，只有說可以用什麼來用，可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
作者: smilodon    時間: 2010-7-10 02:12 PM
0.35里最好使用PIP电容，就是由poly1和ploy2构成平板电容，重叠的部分就是电容，非交叠的部分用金属引出即可。
作者: motofatfat    時間: 2010-7-12 02:43 PM
先畫  POLY1     Y um X Y um ; H8 F! H! L4 X8 @8 g% c; E" Z9 Z* X
在畫 POLY2      Z um X Zum
+ a2 Y8 A( \* G3 B/ z8 i* M通常  下層版 較大  RULE 會有  y0 @/ D2 i9 l/ M0 j7 _, \
做一個 POLY1 　CO ME1 的 CELL　　連接　　ＰＯＬＹ１
0 `7 u' w2 L( T. Q. _做一個 POLY２ CO ME1 的 CELL　　連接　　ＰＯＬＹ２
% y5 a  {/ X% T+ CＸ　＆　Ｙ　重疊的地方就是　電容大小
作者: 97003006    時間: 2010-7-26 12:18 PM
現在有PDK的功能呀~
9 }. p* p" M4 z8 v% V你可以去看看你是否有申請~- j7 O5 p/ {4 ~! b' S! X$ ^
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
作者: 藍色趴趴熊    時間: 2010-11-6 11:44 PM
先去cic下載pdk吧~~~( i3 ]: v  h6 S; R$ ~6 y. |5 ^
由於我是用laker畫的，所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...! ^* f; `2 R/ f# @. n
但是聽說pdk也是可以在laker上開啟，可能要在問問其它前輩了吧...



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2