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標題: charge pump PLL中三階LPF電阻電容布局的問題 [打印本頁]

作者: liangshangquan    時間: 2007-12-6 02:52 PM
標題: charge pump PLL中三階LPF電阻電容布局的問題
各位好:3 k: O! N) U5 \2 c5 E. k+ z3 |
/ ]; F; ]8 E9 \0 d
現在我要畫PLL的版圖,其中三階LPF中的電阻和電容,大小值已經確定,但是如何布局我不是很清楚。. W0 H( y9 _$ n. R
! D2 k3 C9 t/ D6 B3 |$ W
特別是兩個電阻,一個是產生零點的,一個是高階電阻,會給電路帶來高頻雜訊。我該如何floorplan呢?9 ]  z0 @. q9 N' J/ j' T

7 d! j1 X3 R+ A3 q5 l+ m" W7 C我準備采用poly電阻,并且放在N阱里。但是這兩個電阻是放在一起呢,還是分別畫呢。還需要分別畫guarding ring嗎?1 o3 H$ D  \7 X6 E1 n, B

4 a4 n. h# W6 ?% l* T靜等答復,謝謝各位。
# o2 r# D: F' e( V1 m' C* a  T: I6 v0 }
[ 本帖最後由 liangshangquan 於 2007-12-6 02:53 PM 編輯 ]
作者: finster    時間: 2007-12-9 10:25 AM
我個人是覺得LPF中的電阻和電容在LAYOUT上的影響倒是還好
& e$ f' d0 S/ y- t: p& B+ x. R我們當初並沒有特別在這邊花多大的功夫
( I8 y) J6 ]" G/ _9 c6 g6 v  ?2 G& M不過,我不確定你的poly電阻的一個squal有多大,一般來說,poly電阻的一個squal並不大,所以你layout上畫出來應該會有點大,我們之前大部份都是用p+ diff電阻,因為它的阻值較大,所佔的面積就會比poly電阻來的小一些3 Z6 K) P6 Q* G" v, U
在畫PLL,我們最重視的是VCO和charge pump部份的layout畫法和位置安排,因為那會直接影響到PLL的performance,故而,建議你多少些心思在這兩塊電路上的layout,LPF的R,C,我個人是覺得影響不大
作者: dewen0812    時間: 2007-12-11 11:23 AM
標題: 學習在學習
我本身也是做pll的我覺得charge pump與vco的layout佈局是會引響整個performance
$ `) G# i* O$ @% M' H其實layout出來的電容和電阻跟你tapeout回來的值本身也會有一些差距,除非是你很在意你的# g9 ]5 `2 T) b
pole,zero的點,那可以考慮common centroid的畫法,去降低process variation
作者: liangshangquan    時間: 2007-12-12 05:00 PM
yes。我們的采用的兩層poly的工藝,所以選取了ploy,它具有較大的square值,是45歐姆/方塊。選擇diff到也是個不錯的選擇。謝謝樓上兩位的建議。$ v( X, B/ S- N) u

. l; B5 m( B, j, \" d還有個問題想請教下,就是對VCO輸出整形的考慮。
! m' G1 z# b- z原來芯片就是一個差分變單端的簡單比較器+一級buffer,我在想能不能將這個比較器設計的更好些以提高其整形的效果呢?! x* \& V' j' Q) w' V2 A9 q; W
還有就是buffer的作用,其輸出信號是輸入到divider中的,我是不是應該根據下級電路的驅動能力來設計這個buffer呢?( F5 W9 O( V# d) n. \, H1 N( g$ Q
buffer的尺寸和級數對整形和帶載能力有什么特別的要求沒有?) @" m' ?: d9 f' w, f* T

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作者: finster    時間: 2007-12-14 06:16 PM
原帖由 liangshangquan 於 2007-12-12 05:00 PM 發表 0 u% v+ T" t& |& Q6 m" D
yes。我們的采用的兩層poly的工藝,所以選取了ploy,它具有較大的square值,是45歐姆/方塊。選擇diff到也是個不錯的選擇。謝謝樓上兩位的建議。9 @* U8 S; R+ B. w4 D
) n0 r; T' V) t; B) m
還有個問題想請教下,就是對VCO輸出整形的考慮。8 w  O2 n! F0 ?
原來芯片就是一個 ...

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一般來說,VCO的output waveform不太可能是rail-to-rail,所以,大部份都會再加一個differential-to-singled-ended circuit(D2S)作為放大之用,除此之外,通常,如果D2S之後若沒有要接降頻(除頻)電路,絕大部份D2S會再加一個duty-cycle corrector特性在裡面) }0 j' \+ X! V% x  ^" A9 @
因為D2S只是把VCO的output waveform放大,並沒有波形整形的功用,如果後級電路需要有50% duty cycle的要求,一般來說是加一個除2電路即可,但有時D2S之後便沒有作除頻頻的動作且又要50% duty cycle,那就在D2S之中加入duty-cycle corrector3 E! w1 d8 O: e4 f

  D% G2 G# t# H5 I另外,D2S的操作速度要跟的上VCO,所以,一般而言,D2S也還蠻耗電的,至於它的驅動能力,通常不會設計的太weak




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